Istaknuta slika Si PIN-a s četiri kvadranta

Četverokvadrantni Si PIN

Model: GT111/ GT112/ GD3250Y/ GD3249Y/ GD3244Y/ GD3245Y/ GD32413Y/ GD32414Y/ GD32415Y

Kratki opis:

Sastoji se od četiri iste jedinice Si PIN fotodiode koja radi obrnuto i pruža visoku osjetljivost u rasponu od UV do NIR.Najveća valna duljina odziva je 980 nm.Odziv: 0,5 A/W na 1064 nm.

dobiti ponudu preuzimanje datoteka

Tehnički parametar

Oznake proizvoda

Značajke

Niska tamna struja
Visok odziv
Dobra konzistencija kvadranta
Malo slijepo područje

Prijave

Lasersko navođenje, ciljanje i praćenje
Za uređaj za istraživanje
Lasersko mikropozicioniranje, praćenje pomaka i precizni mjerni sustavi

Fotoelektrični parametar（@Ta=25℃）

Stavka #	Kategorija paketa	Promjer fotoosjetljive površine (mm)	Raspon spektralnog odziva (nm)	vršna valna duljina odziva	Responzivnost λ=1064nm (kV/W)	Tamna struja (nA)	Vrijeme porasta λ=1064nm R_L=50Ω(ns)	Spojni kapacitet f=1MHz (pF)	Probojni napon （V）
GT111	TO-8	F4	400～1100	980	0.3	5 (V_R=40V)	15 (V_R=40V)	5 (V_R=10V)	100
GT112		F6				7 (V_R=40V)	20 (V_R=40V)	7 (V_R=10V)
GD3250Y		F8				10 (V_R=40V)	25 (V_R=40V)	10 (V_R=10V)
GD3249Y	TO-20	F10				15 (V_R=40V)	30 (V_R=40V)	15 (V_R=10V)
GD3244Y	TO-31-7	F10			0.4	20 (V_R=135V)	20 (V_R=135V)	10 (V_R=135V)	300
GD3245Y	TO-31-7	F16				50 (V_R=135V)	30 (V_R=135V)	20 (V_R=135V)
GD32413Y	MBCY026-P6	F14				40 (V_R=135V)	25 (V_R=135V)	16 (V_R=135V)
GD32414Y	TO-8	F5.3	400～1150		0,5	4,8 (V_R=140V)	15 (V_R=140V)	4.2 (V_R=140V)	≥300
GD32415Y	MBCY026-W7W	F11.3	400～1150		0,5	≤20(V_R=180V)	20 (V_R=180V)	10 (V_R=180V)	≥300