InGaAs APD moduli

Model: GD6510Y/ GD6511Y/ GD6512Y

Kratki opis:

To je modul lavinske fotodiode indija galij arsenida s krugom predpojačanja koji omogućuje pojačanje slabog strujnog signala i pretvaranje u naponski signal kako bi se postigao proces pretvorbe pojačanja foton-fotoelektričnog signala.

dobiti ponudu preuzimanje datoteka

Tehnički parametar

Oznake proizvoda

Značajke

Prednji osvijetljeni ravni čip
Odziv velike brzine
Visoka osjetljivost detektora

Prijave

Lasersko određivanje udaljenosti
Laserska komunikacija
Lasersko upozorenje

Fotoelektrični parametar（@Ta=22±3℃）

Stavka #	Kategorija paketa	Promjer fotoosjetljive površine (mm)	Raspon spektralnog odziva (nm)	Probojni napon （V）	Responzivnost M=10 λ=1550nm (kV/W)	Vrijeme porasta （ns）	Širina pojasa (MHz)	Temperaturni koeficijent T_a= -40 ℃ ~ 85 ℃ （V/℃）	Ekvivalentna snaga buke (pW/√Hz)	Koncentričnost（μm）	Zamijenjen tip u drugim zemljama
GD6510Y	TO-8	0,2	1000 ~ 1700	30～70	340	5	70	0,12	0,15	≤50	C3059-1550-R2A
GD6511Y		0,5				10	35		0,21		−
GD6512Y		0,08				2.3	150		0,11		C3059-1550-R08B